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三星电子、SK海力士、铠侠等NAND制造商大幅削减NAND闪存供应,“供应紧张”推动全面涨价 三星电子、SK海力士、铠侠(Kioxia)以及美光(Micron)这四大全球NAND闪存制造商,正在今年下半年集体削减NAND供应量。 分析人士指出,厂商一边通过控制供给推动价格上涨,一边在将生产设备转换至四层单元(QLC)制程时,不可避免地出现产能损失,而这种制程的需求正因AI数据中心激增而快速上升。 与此同时,三星电子、SK海力士和铠侠正推动NAND价格上涨——过去一年该产品价格一直徘徊在成本线附近。据称,三星正在与主要海外客户讨论明年的NAND供应量,并在内部考虑上调价格20%至30%甚至更多。 据《朝鲜商业报》(ChosunBiz)12日获得的市场调研机构Omdia年度数据,三星电子今年的NAND晶圆产量目标约为472万片,较去年的507万片下降约7%。铠侠也从去年的480万片调整至469万片。Omdia预计三星与铠侠的减产态势将持续到明年。 SK海力士和美光同样采取保守的产量策略,以期从价格上涨中获益。SK海力士的NAND产量从去年的201万片降至约180万片,降幅约10%。美光的情况类似,其在新加坡Fab 7(最大的NAND生产基地)保持在30万片出头的低水平产出,维持保守供给。 随着主要厂商一致控制生产,NAND产品的平均售价(ASP)正急剧上升。海外市场研究机构称,NAND价格仅在上季度就上涨了15%,接下来可能再暴涨40%至50%以上。TrendForce报告指出,主流的512Gb三层单元(TLC)NAND晶圆现货价格较前一周上涨14.2%,达到5.51美元。现货价反映即时交易价格,当该价格上涨时,意味着产品愈发难以取得。 TLC类NAND短缺也意味着主要厂商正将重心转向利润率更高的QLC产品。QLC和TLC指的是单个存储单元可存储的比特数。TLC每单元存三比特,而QLC则可存四比特。相同面积下,QLC比TLC多出约30%的容量,因此在制造AI数据中心所需的大容量SSD时具有优势。 一位半导体业内人士解释称:“随着现有的TLC产线逐步转为生产AI数据中心必需的QLC SSD,自然会出现‘减产效应’——部分TLC设备被闲置。这种在设备与工艺转换期间出现的‘损失’一向会导致市场价格大幅上升。” 与此同时,长期受困于供过于求的三星电子与SK海力士,也正趁NAND价格回升之机努力提升盈利能力。据悉,美国SanDisk已自本月起将NAND合约价上调最高约50%。由于北美大型科技公司担忧NAND价格飙升,纷纷开始“囤货”,有分析指出明年的NAND供应量或已被抢购一空。
蔡慎坤
7个月前
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