美国银行上调全球存储市场预测:AI 与 HBM 驱动 2026 年“超级周期” 在农历新年期间价格表现强于预期、库存紧张以及 AI 需求持续的背景下,美国银行(BofA)对存储行业的看法变得更加乐观。该行预计,DRAM 价格将在第一季度显著上涨,并在第二季度保持坚挺,从而推动盈利进入新一轮上修。 对于 2026 年,美国银行预计全球 DRAM 销售额同比增长约 118%,NAND 销售额同比增长接近 90%。增长的主要驱动因素是价格上行叠加稳健的 bit 出货增长。该行强调,这并非短期脉冲,而是一个结构性更强的周期,有望带来创纪录的收入与利润水平。 高带宽存储(HBM)仍是核心引擎。美国银行测算,2026 年 HBM 收入将接近 600 亿美元,同比增长约 75%。HBM 具备高利润率特征,且在 AI 服务器中的单机存储容量持续提升,正成为 DRAM 利润中占比越来越大的部分。 当前行业库存处于历史低位,晶圆厂满负荷运行,云计算巨头(hyperscalers)继续扩大资本开支。 更广泛的结论是,本轮周期与以往复苏不同。需求的锚点不再只是 PC 与手机补库存,而是由 AI 基础设施与超大规模数据中心建设驱动。供给端的克制扩产与紧张的供应共同强化了定价能力。HBM 从结构上抬升了行业利润率水平,而传统 DRAM 与 NAND 也受益于同样的供需收紧环境。即便存储股已出现显著上涨,盈利预期仍在持续上修,韩国市场的估值相对于未来利润潜力依然合理。简言之,美国银行认为,2026 年的存储上行周期不仅是周期性动能,更呈现出越来越明显的结构性特征。