#D0缺陷密度

ariel reyez romero

2个月前

根据2025年10月的最新报道，Intel 的 18A（1.8nm 级）工艺节点在 D0（初始缺陷密度，单位为每平方厘米缺陷数）方面已取得显著进步。具体来说，Intel 官方在2024年底公布的 D0 值已低于 0.40/cm²，而最近的行业分析和报道显示，这一指标已进一步优化至低于 0.30/cm²，这被视为“有史以来最低水平”，标志着工艺已准备好支持内部和外部客户的量产。 “对于中小型芯片（如 Intel Panther Lake，面积约 100-200 mm²，即 1-2 cm²），D0 = 0.30/cm² 可通过公式估算出良率约为 60-75%，具体取决于面积和优化良率达到 70% 通常被认为是半导体行业中可以开始量产（high-volume manufacturing, HVM）的门槛”

#Intel 18A工艺 #D0缺陷密度 #半导体良率 #Panther Lake芯片 #量产准备