三星、SK海力士将既有产能全力冲刺生产高端DRAM及高频宽存储（HBM），大举排挤NAND Flash产出，两大厂今年同步削减NAND芯片产量。 三星电子计划今年累计投入468万片NAND晶圆，2025年是490万片；SK海力士今年产能规模为170万片，2025年是190万片。总计两大厂今年NAND芯片产出量由去年的680万片降至约638万片，全球NAND芯片供给结构性缺口将因此扩大约3%至4%